삼성전자, 세계 최초 ‘3세대 10나노급(1z) D램’ 개발

 

삼성전자가 세계 최초로 '3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램’(사진. 삼성전자)을 개발했다고 21일 밝혔다.

 

삼성전자는 2세대 10나노급(1y) D램을 양산한지 16개월만에 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램 개발이란 성과를 거뒀다.

 

3세대 10나노급(1z) D램은 초고가의 EUV 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급(1y) D램보다 생산성을 20% 이상 향상시켰고, 속도 증가로 전력효율 역시 개선했다.

 

삼성전자는 2019년 하반기에 3세대 10나노급(1z) D램을 본격 양산하고, 2020년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 본격적으로 공급하는 등 최첨단 공정 기반 프리미엄 메모리 기술 리더십을 더욱 강화해 나갈 계획이다.

 

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 "미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시할 수 있다"며, "향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나갈 것"이라고 강조했다.