ETRI, 200와트급 질화갈륨 전력소자 개발

한국전자통신연구원(ETRI)은 5일 S-대역에서 쓰이는 200W(와트)급 '질화갈륨(GaN) 전력소자'(사진. ETRI)를 개발했다고 밝혔다.

S-대역은 3∼4㎓(기가헤르츠) 주파수 대역이다. 군사용 레이더나 5세대(G) 이동통신 기지국 증폭기 등이 S-대역을 사용한다.

특히 군사용 레이더는 정밀한 탐지를 위해 높은 출력을 내는 전력소자를 필요로 하는데, 실리콘이나 탄화규소 같은 기존 전력 소자로는 충분한 출력을 내기 어려웠다.

연구원은 차세대 반도체 소자로 주목받는 질화갈륨을 이용해 전력소자 칩을 개발했다.

질화갈륨은 전력 밀도가 높고 열 전도도가 뛰어나지만, 기술력과 가격 경쟁력을 갖춘 곳이 국내에 없어 군수·방산업계는 전량 외산 장비를 수입해 사용해 왔다.

이번에 개발한 가로 0.78㎜, 세로 26㎜ 크기 전력소자 칩의 성능은 200W급이다.

연구진은 향후 본 주파수 및 출력을 확장하고 민수 및 군수 핵심부품을 국산화하는 연구를 진행하면서 전력소자와 더불어 주요 수출규제 품목 중 하나인 질화갈륨 기반 집적회로 개발 연구에도 속도를 낼 예정이다